教育资讯

西安电子科技大学郝跃院士团队研制出柔性高亮度紫光LED

来源:西部网 2019-12-02 14:52

846eefdd14fdd8f7ebf0aa8abe9a79f0.jpeg

中国科学院院士、西安电子科技大学微电子学院郝跃研究团队在《新型光学材料》上发表研究成果,揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制,并创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管。

GaN基半导体LED照明具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等优点,是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明革命。随着可穿戴技术的发展,未来柔性半导体技术将逐步成为主流,柔性GaN 的制备成为当今国际高度关注的研究热点。但是,激光能量密度分布不均匀使得氮化镓薄膜突起破裂,很难得到大面积连续无损的氮化镓薄膜,使得GaN的柔性器件发展受到严重阻碍。为此,低应力、高质量的GaN薄膜的制备对于LED性能的提升显得尤为重要。

据介绍,郝跃团队研究并m88明升官网了氮化物在石墨烯上的选择性成核机理,找到了AlN的最佳成核位点,成功制备出高质量、无应力的GaN外延层;并通过优化剥离工艺,实现了GaN外延层的低损伤、大面积剥离转移。基于该柔性GaN材料制备的紫光发光二极管在小电流下实现了超高光输出功率。同时,这一研究成果证明了剥离转移可以实现GaN基柔性照明以及LED在未来实现高质量垂直结构的可能性。

精彩推荐

更多推荐

下拉更多推荐

应用推荐

友情链接:美高梅官网网址  金沙官网  永利集团    金沙网站  威尼斯人官网  金沙网址  永利网站  新葡京官网  威尼斯人官网app  永利官网  威尼斯人  葡京官网  永利官方网站  威尼斯人  金沙网站  永利集团  永利网址  金沙棋牌  永利网址  金沙国际  金沙澳门官网  澳门威尼斯人  新葡京官网  大澳门赌城  金沙澳门网址  威尼斯人官网  葡京官网  澳门赌城网站  金沙澳门赌城  威尼斯人开户  新葡京官网  银河赌城  澳门赌城官网  葡京官网  大澳门赌厅  金沙澳门  葡京官网  赌场网址  金沙网址  银河官网